入低迷，新一代光刻机的研制陷入停滞状态。
直到二零零七年，后起之秀asml采用台积电林工程师的技术方向，率先研制成功arfi准分子激光器和浸没式光刻系统，突破了波长193nm的世界级光学难题，直接越过157nm波长的天堑，降至132nm波长，制造的新一代光刻机突破了65nm制程工艺，实现了45nm制程工艺，超越nikon高端光刻机，从nikon的手里抢到inter、ibm、amd、hp、三星和台积电等所需高端光刻机的订单。
nikon从此开始走下坡路，随着euv光刻机的问世，asml垄断了全球高端光刻机市场。
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